vendredi 16 décembre 2005

Emission laser dans une nanostructure de silicium

En fabriquant des millions de nano-pores par gravure ionique sur un substrat de SOI (silicon on insulator) ensuite refroidi à 10 Kelvin (-283°C) et excité par un laser à Argon de puissance 1,5W, des scientifiques américains ont observé un rayonnement laser de 30 nW environ de la strucutre dans l'infra-rouge à 1278 nanomètres.
Le rendement actuel de la structure n'est que de 1 pour 10 000 (0,0001 %)mais les chercheurs se disent confient quant à la possibilité d'optimiser la structure afin d'obtenir une puissance plus importante pour un meilleur rendement.

Source : Optics.org
publié par Tom dans: Actualité scientifique
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